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　　LED領域全球專利申請共計約十二萬余件，其中在日本的專利申請量最多，其次為美國和中國，各主要國家和地區LED領域的專利申請都已突破一萬件。

　　根據LED的技術特點和行業劃分習慣，一般將LED領域分成襯底、外延、芯片、封裝、應用等部分。LED全球專利技術結構布局情況如圖1所示，專利申請40%集中在封裝，其次為應用(26%)和外延(17%)領域，襯底和白光的專利最少。襯底領域的專利25%集中在藍寶石，其次為砷化鎵(17%)，硅(16%)，氮化鎵(10%)等;外延領域的專利。

　　從有源層材料看86%集中在III-V族，從功能層來看75%集中在n型層，p型層和有源層，其次為覆蓋層和緩沖層(16%)，在電流擴展層和歐盟接觸層等技術分支申請較少;芯片領域的專利39%集中在電極設計技術，其次為反射膜技術(16%)、微結構技術(12%)、芯片外形技術(11%)、襯底鍵合剝離技術(11%)，在劃片、增透膜技術、鈍化技術等申請較少;封裝領域的專利63%集中在基板和封裝體，其次為散熱(15%)、電極互連(13%)和熒光體(7%)。專利申請多集中在封裝和應用領域，這表明LED技術相對比較成熟，開始進入應用階段。